Фильтрация

FF200R12KT4HOSA1, 62 mm

100,00 ₽

Компактный транзистор Infineon FF200R12KT4HOSA1, идеально подходит для низковольтных приложений. Купить от FedExpert

Артикул: 347980 Категория:

FF200R12KT4HOSA1 (datasheet)

Сайт производителя: Infineon

Похожие товары

DFI100HF17DE1, IGBT модуль, замена для SKM145GB176D-SEMITRANS2
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

DFI100HF17DE1, IGBT модуль, замена для SKM145GB176D-SEMITRANS2

3 300,00 ₽
DFI150HF12DE1, Модуль IGBT, 150 A 1200 V 34mm Half Bridge
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

DFI150HF12DE1, Модуль IGBT, 150 A 1200 V 34mm Half Bridge

3 800,00 ₽
DFI100PM12P4D1, IGBT модуль, 100 A 1200 V P4 Full Bridge
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

DFI100PM12P4D1, IGBT модуль, 100 A 1200 V P4 Full Bridge

7 100,00 ₽
CM400HA-24A#300G, модуль 1 IGBT 1200В 400A 5 поколение A серия
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM400HA-24A#300G, модуль 1 IGBT 1200В 400A 5 поколение A серия

9 500,00 ₽
CM400DY-34T#300G, IGBT модуль T серия 400А 1700В
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM400DY-34T#300G, IGBT модуль T серия 400А 1700В

13 000,00 ₽
CP25TD1-24A, DIP-CIB модуль 25А 1200В
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CP25TD1-24A, DIP-CIB модуль 25А 1200В

5 900,00 ₽
CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В

9 500,00 ₽
CM150DX-34SA, модуль 6 IGBT 150А 1700В поколение NX6
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM150DX-34SA, модуль 6 IGBT 150А 1700В поколение NX6

5 900,00 ₽