Негативный фоторезист водощелочного проявления

Фоторезист предназначен для реализации фотолитографических процессов с последующим гальваническим осаждением металлов в производстве интегральных схем, печатных микроплат, электроформованных сит, и в других областях, где используются методы прецизионной фотолитографии и гальванопластики. Фоторезист изготовлен на основе сополимеров метакрилового ряда.



Формирование пленки на подложке осуществляется центрифугированием или погружением в раствор. Высокое качество сформированного в фоторезисте рельефа достигается в результате проведения сушки и фотополимеризации облученных участков.



Для обеспечения фотополимеризации пленка фоторезиста перед экспонированием покрывается защитным слоем, предохраняющим от доступа кислорода. Допускается нанесение защитного слоя методом погружения в раствор или поливом.



Особенностью фоторезиста является вертикальный профиль проявления при любых толщинах слоев. Выпускается фоторезист, обеспечивающий получение пленок толщиной от 5 мкм до 400 мкм.



Технические данные фоторезиста

Внешний вид    вязкая прозрачная жидкость розового или синего цвета

Кинематическая вязкость, мм г/c    

Типичная толщина пленки, мкм    НФВЩ-5-10

НФВЩ-25-27

НФВЩ-40-45

НФВЩ-70-75

НФВЩ-350-400

Проявитель    2% раствор натрия углекислого

Условия сушки фоторезиста    60 — 80С, 20 — 30 мин.

Условия сушки защитного слоя    20 — 30С, до полного высыхания.

Спектральная чувствительность, нм    330 — 410

Разрешающая способность фоторезиста толщиной

5 — 10 мкм

25 — 27 мкм    



15 — 20 мкм

35 — 40 мкм

Термостойкость проявленного рельефа (отсутствие искажения размеров элементов)    до 170 — 180С