Диэлектрические керамические износостойкие покрытия

Диэлектрические керамические износостойкие покрытия позволяют обеспечить необходимые электроизоляционные свойства поверхности при высокой износостойкости. Диэлектрические покрытия наносят с помощью плазменного напыления. Мы наносим керамические электроизоляционные покрытия из различных материалов: Оксид алюминия Аl2O3 может существовать в трх основных кристаллических модификациях:



и — формы представляют собой чистые оксиды.

а -форма представляет собой условное обозначение группы алюминатов с высоким содержанием Аl2O3.

Кроме них, зафиксированы ещ несколько кристаллических модификаций, большинство из которых при 1200 С переходят в -форму (корунд). Основным структурным мотивом в корунде служит алюмокислородный октаэдр. В природных условиях встречается только форма в виде минерала корунда, рубина, сапфира.

Тврдость корунда по шкале Мооса — 9, по шкале Роквелла — 90. Плотность корунда в зависимости от наличия в нм примесей колеблется от 3980 до 4010 кг/м3. Температура плавления составляет 2050 С, энтальпия образования 1, 7 Мдж/моль. Электропроводность при температуре 20О С 10-16, при температуре 1300 С 10-6 Ом-1м-1.



Керамика, содержащая более 95% -Аl2О3 называется корундовой керамикой. В качестве добавок — минерализаторов используют МgO, MnO2, TiO2, ZrO2. Если добавка ведет к искажению кристаллической решетки корунда, как, например, при введении ТiO2, то электропроводность корунда повышается Оксид иттрия до 2300 С не проявляет полиморфных превращений. Тпл= 2410 — 2415 С. Плотность кристаллов — 5030 кг/м3, удельная тепломкость составляет 0, 105 кДж/кг . К, энтальпия образования Н = -1910 кДж/моль, потенциал Гиббса G = -1820 кДж/моль. В окислительной атмосфере (воздух) оксид иттрия стабилен вплоть до Тпл. Стойкость к термоударам спечнной керамики невысока. Это обусловлено малой теплопроводностью (8, 5 Вт/м*К) и относительно высоким ТКЛР = 8 — 9*10-6 К-1. По электрическим свойствам иттриевая керамика относится к хорошим изоляторам: электропроводность при 500 С составляет 8 *10-10 Ом-1м-1.