Фильтрация

TD330N16AOF

38 600,00 ₽

Низковольтный N-kanalный MOSFET с малым сопротивлением, идеален для приложений с высокой нагрузкой. Купить от FedExpert

Артикул: 348410 Категория:

Поиск документации на TD330N16AOF

Сайт производителя: Infineon

Похожие товары

CM150DX-34SA, модуль 6 IGBT 150А 1700В поколение NX6
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM150DX-34SA, модуль 6 IGBT 150А 1700В поколение NX6

5 900,00 ₽
DFI150HF12DE1, Модуль IGBT, 150 A 1200 V 34mm Half Bridge
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

DFI150HF12DE1, Модуль IGBT, 150 A 1200 V 34mm Half Bridge

3 800,00 ₽
DFI100HF17DE1, IGBT модуль, замена для SKM145GB176D-SEMITRANS2
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

DFI100HF17DE1, IGBT модуль, замена для SKM145GB176D-SEMITRANS2

3 300,00 ₽
CP25TD1-24A, DIP-CIB модуль 25А 1200В
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CP25TD1-24A, DIP-CIB модуль 25А 1200В

5 900,00 ₽
CM300DXP-24T#131G, модуль на 300 Ампер 1200 Вольт
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM300DXP-24T#131G, модуль на 300 Ампер 1200 Вольт

15 600,00 ₽
CM400DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 400A 5 поколение NF серия
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM400DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 400A 5 поколение NF серия

20 200,00 ₽
DFI100PM12P4D1, IGBT модуль, 100 A 1200 V P4 Full Bridge
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

DFI100PM12P4D1, IGBT модуль, 100 A 1200 V P4 Full Bridge

7 100,00 ₽
CM200DY-24A модуль, 2 IGBT 1200В 200A 5 поколение A серия
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM200DY-24A модуль, 2 IGBT 1200В 200A 5 поколение A серия

18 500,00 ₽