Фильтрация

MD22HTC120P6HE, SiC MOSFET

246 347,39 ₽

MOSFET на SiC, 1200V, 16A, идеально для высокоэффективных приложений. Купить от FedExpert

Артикул: 348347 Категория:

Поиск документации на MD22HTC120P6HE

IGBT транзисторы и силовые модули Starpower

Похожие товары

CM900DUC-24S, IGBT модуль 900А 1200В
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM900DUC-24S, IGBT модуль 900А 1200В

29 800,00 ₽
CM150DY-24T#300G, IGBT модуль T серии стандартного типа 1200В
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM150DY-24T#300G, IGBT модуль T серии стандартного типа 1200В

3 400,00 ₽
CM400DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 400A 5 поколение NF серия
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM400DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 400A 5 поколение NF серия

20 200,00 ₽
CM150DX-34SA, модуль 6 IGBT 150А 1700В поколение NX6
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM150DX-34SA, модуль 6 IGBT 150А 1700В поколение NX6

5 900,00 ₽
CM1200DB-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A замена CM1200DC-34N
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM1200DB-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A замена CM1200DC-34N

128 000,00 ₽
DFI150HF17DF1, Модули IGBT, 150 A, 1700 V 62mm, Half Bridge
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

DFI150HF17DF1, Модули IGBT, 150 A, 1700 V 62mm, Half Bridge

6 300,00 ₽
CM800DU-12H, IGBT модуль 800А 600В
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM800DU-12H, IGBT модуль 800А 600В

30 900,00 ₽
CM400HA-24A#300G, модуль 1 IGBT 1200В 400A 5 поколение A серия
Быстрый просмотр

Силовые IGBTи SiC модули

CM400HA-24A#300G, модуль 1 IGBT 1200В 400A 5 поколение A серия

9 500,00 ₽