The 24LC08B/SN is a 8kB I?C™ serial Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (EEPROM) organized as four blocks of 256 x 8-bit memory with a 2-wire serial interface. Low voltage design permits operation down to 1.8V, with standby and active currents of only 1µA and 1mA, respectively. The 24XX08 also has a page write capability for up to 16 bytes of data.
• Single supply with operation down to 1.8V
• Low-power CMOS technology
• 2-wire serial interface (I?C™ compatible)
• Schmitt trigger inputs for noise suppression
• Output slope control to eliminate ground bounce
• 100 and 400kHz Clock compatibility
• Self-timed write cycle
• Page write buffer for up to 16 bytes
• 2ms Typical write cycle time for page write
• Hardware write-protect for entire memory
• Can be operated as a serial ROM
• ESD protection >,4000V
• 1000000 Erase/write cycles
• Data retention >,200 years
Полупроводники — МикросхемыПамятьEEPROM
Технические параметры
| Минимальная Рабочая Температура | 0 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 70 C |
| Максимальное Напряжение Питания | 5.5В |
| Минимальное Напряжение Питания | 2.5В |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Тактовая Частота | 400кГц |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | SOIC |
| Размер Памяти | 8Кбит |
| Конфигурация Памяти EEPROM | 4 BLK (256 x 8бит) |
| Memory Interface Type | Serial I2C (2-Wire) |
| Длина | 4.9мм |
| Минимальное рабочее напряжение питания | 2,5 В |
| Программирующее напряжение | 2.5 ? 5.5V |
| Производитель | Микрокристалл |
| Объем памяти | 8Кбит |
| Тип корпуса | SOIC |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Максимальное время произвольного доступа | 1000нс |
| Ширина | 3.9мм |
| Сохранение данных | >,200г. |
| Организация | 256 x 8 |
| Высота | 1.5мм |
| Максимальное рабочее напряжение питания | 5.5 V |
| Число контактов | 8 |
| Размеры | 4.9 x 3.9 x 1.5мм |
| Тип интерфейса | Последовательный, I2C |
| Количество слов | 256 |
| Количество бит на слово | 8бит |
| Вес, г | 0.336 |



