Драйверы FET-IGBT — [SOIC-8-3.9], Nнижн: 1, Nверхн: 1, Uoffset: 600 В, Iout+: 400 мА, Iout-: 650 мА, Траб: -45…125 °C
Корпус SO-8, Кол-во нижних каналов 1, Кол-во верхних каналов 1, Максимальное напряжение смещения 600 В, Максимальный выходной ток нарастания 400 мА, Максимальный выходной ток спада 650 мА
Технические параметры
| Вес, г | 0.7 |

