Технические параметры
| Применение | Общего Назначения |
| Топология | Reflective |
| Схема | SPDT |
| Диапазон частот, ГГц | dc…6 |
| Изоляция, дБ | 32 |
| Вносимые потери, дБ | 0.7 |
| Тестовая частота, ГГц | 6 |
| Перехват составляющих третьего порядка, дБм | 48 |
| Импеданс, Ом | 50 |
| Рабочая температура, C | -40…+85 |
| Корпус | mini_so-8 exposed pad |
| Вес, г | 0.06 |



